Avantaj nan izole pòtay tranzistò bipolè (IGBT)

Avantaj debaz yo
Segondè Enpedans Antre: Menm jan ak MOSFET yo, IGBT yo se aparèy vòltaj -kondwi, ak pòtay la konsome prèske pa gen okenn kouran, ki fè sikwi kondwi a senp ak ba-pouvwa.

Pouvwa kondwi ki ba: Se sèlman miliwatt-pouvwa kondwi ki nesesè, pi ba anpil pase BJT tradisyonèl yo, ki fezab nan konsepsyon enèji-efikas.

Redwi vòltaj kondiksyon gout: Lè l sèvi avèk efè modulasyon konduktivite a, vòltaj saturation -eta a (VCE(sat)) se sèlman 1–3V, siyifikativman pi ba pase MOSFET ki gen menm evalyasyon vòltaj la, kidonk diminye pèt kondiksyon.

Gwo vitès chanje: frekans fonksyònman ka rive nan 1-20 kHz, apwopriye pou varyateur frekans segondè, kondui motè, ak lòt senaryo.

Gwo Kapasite pouvwa: Yon modil sèl ka sipòte jiska 6500V/600A, apwopriye pou gwo -vòltaj, segondè -aplikasyon aktyèl tankou machin enèji nouvo, transpò tren, ak kondui frekans varyab endistriyèl.

Estrikti kontra enfòmèl ant ak segondè fyab: anbalaj modilè (tankou entegrasyon ak dyod rekiperasyon vit, FWD) fasilite entegrasyon sistèm ak amelyore estabilite jeneral.