Karakteristik debaz nan izole pòtay tranzistò bipolè (IGBT)

Karakteristik prensipal elektrik

Segondè Enpedans Antre: eritye karakteristik MOSFET, mande pou pouvwa kondwi ki ba, epi li gen yon kous kondwi senp.

 

Low Conduction Voltage Drop: Itilize efè modulation konduktivite a; vòltaj saturation -eta a (Vce(sat)) pi ba anpil pase MOSFET yo ak menm evalyasyon vòltaj la, anjeneral 1.5 ~ 3V.

 

Segondè vòltaj ak gwo kapasite aktyèl: Apwopriye pou nivo vòltaj soti nan 600V a 6500V, ak aktyèl rive sou 10A a 1800A.

 

Modere Chanjman Frekans: Gamme frekans fonksyònman anjeneral se plizyè dizèn kHz (tankou 10-100kHz), pi wo pase BJT men pi ba pase MOSFET.

 

Koyefisyan Tanperati Pozitif: Anba aktyèl aktyèl, Vce(sat) ogmante yon ti kras ak tanperati, ki se benefisye pou pataje aktyèl lè yo itilize nan paralèl.