Izolasyon Gate Bipolè Tranzistò Itilizasyon Konsèy

Izolasyon Gate Bipolè Tranzistò a (IGBT) se yon vòltaj -kontwole aparèy switch lajman ki itilize nan mwayen- ak gwo-sistèm elektwonik pouvwa, konbine avantaj ki genyen nan gwo enpedans antre MOSFET yo ak kondwi senp ak gout vòltaj kondiksyon ba BJT yo ak gwo kapasite kouran {{3}pote.

 

Pwen Itilizasyon Debaz yo
Kondisyon Voltage Kondwi
IGBT yo se aparèy ki kontwole vòltaj-. Yo ta dwe aplike yon vòltaj +12V rive +18V (valè tipik) ant pòtay la ak emetè a pou limen li; pou koupe -, 0V oswa vòltaj negatif (tankou -5V a -15V) ka aplike pou amelyore kapasite anti-entèferans ak pi vit fèmen.

 

Vòltaj kondwi pòtay la pa dwe depase ± 20V, otreman kouch oksid pòtay la ka domaje.

 

Seleksyon Rating aktyèl ak vòltaj
IGBT yo ka jere kouran plizyè santèn anpè (pa egzanp, plis pase 500A) ak vòltaj plizyè mil vòlt. Lè w ap chwazi, yo ta dwe kite yon maj nan 20% ~ 30% pou fè pou evite survoltaj oswa domaj surkouran.